技术编号：3256461
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及对至少含有钼(platinum)的层进行蚀刻的基板处理方法和存储介质。 背景技术利用电流磁场的磁通反向(flux reversal)存储信息的磁存储装置,各种层层积并且各种层由蚀刻为期望形状的半导体晶片(以下，简称为“晶片”)制造。构成如此磁存储装置的各种层的ー个为包括作为磁性材料的钼(Pt)的钼锰(Pt-Mn)层，钼作为难蚀刻材料的其中之ー是公知的。作为钼锰层的蚀刻方法，已知有通过离子研磨，例如使用通过高能量的氩(Ar)的阳离子的溅射，对钼锰层...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。