技术编号：3256896
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，特别是涉及高生产量地形成具有良好的台阶覆盖性和膜质的金属氧化膜的。背景技术 随着近几年DRAM的高集成化，电容元件的微型化也在推进。作为电容绝缘膜，一般采用氮化硅膜，通过结构复杂化、表面积增加来解决电容不足的问题。可是，微型化和表面积的增加具有折衷的关系，利用氮化硅膜作为电容绝缘膜的局限性在于，不能期望电容元件的静电电容大幅度增加。因此，人们一直在寻求高介电材料作为DRAM用的电容绝缘膜，特别是氧化钽膜，一直以来就被看好，正在被广泛地研究。这是...
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