技术编号:3256932
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体平面加工领域,特别是涉及。背景技术在半导体平面加工领域,由于使用的材料的性质,以及现代线宽技术的不断提升,为了达到更加光洁、平坦的表面,在抛光加工过程中往往采用化学腐蚀加机械加工的办法,但是由于化学过程贯穿了整个加工过程,而抛光布(pad)本身又极其容易贮存碱性的抛光 液,导致即使停止化学腐蚀过程也无法令硅抛光片表面停止被腐蚀。现有的加工方法是抛光液抛完后,使用大量的纯水进行水抛,以减轻抛光液带来的影响;加工过程中,抛光布的处理有的采用刷盘...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。