技术编号:3258226
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别涉及一种能够去除硅靶材表面微裂痕的娃祀材表面处理方法。背景技术现今溅镀镀膜的方法广泛应用于半导体产业、光电制造业或食品包装业等,且于光电制造业中又以介质膜(如氧化物膜或氟化物膜)的使用比例较高。其中,该介质膜的选择更以氧化硅薄膜为主,利用该氧化硅薄膜具有光穿透性、热稳定性、化学惰性等不同的特点运用于不同的产业,而具有较佳的经济效益。目前多利用硅靶材作为原料,采用反应性溅镀法于基材表面沉积氧化硅薄膜,以将该硅靶材置于溅镀腔室后持续通入氧气...
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