技术编号:3258331
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,更具体地说,本发明涉及ー种研磨垫清洗用高压去离子水喷射装置以及配置了该研磨垫清洗用高压去离子水喷射装置的化学机械研磨设备。背景技术化学机械研磨(CMP, chemical mechanical poli shing,也称为化学机械抛光)目前被广泛用于半导体制造过程中的表面平坦化工艺处理。研磨制程根据研磨对象不同主要分为娃研磨(Poly CMP)、娃氧化物研磨(Oxide CMP)、鹤研磨(W CMP)和铜研磨(Cu CMP)。化学...
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