技术编号:3258370
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种薄膜的形成方法,特别是涉及一种利用具有多孔式气体注入器的沉积炉管以形成氮化硅层的。背景技术 在晶圆上形成薄膜有许多可采取的方式,其中一种方法是为化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)。化学气相沉积是将反应气体输送至高温炉内,并且使反应气体与置于炉内的晶圆产生化学反应,以在晶圆表面沉积一层薄膜。化学气相沉积制程所使用的沉积炉管包括有水平式沉积炉管与直立式沉积炉管。其中直立式沉积炉管的反应器是以直立的方式配置...
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