技术编号：3258587
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于薄膜制备方法的，尤其涉及一种制备具有相变特性氧化钒薄膜的方法。背景技术二氧化钒在Tc=68°C附近具有从低温半导体相到高温金属相的可逆性相变特性，其接近室温的相变温度使得由VO2制备的薄膜在智能窗、微测辐射热计、光开关等领域具有广泛的应用。二氧化钒薄膜的制备方法较多，主要包括溅射法、真空蒸发法、脉冲激光沉积法和溶胶凝-胶法等。其中溅射法具有溅射效率高、成膜均匀、可大面积生长且无污染等特点，是国内外众多研究人员制备二氧化钒薄膜常用的方法。这种方法...
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