技术编号:3258789
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种单ー取向锰钴镍氧薄膜的制作方法,更具体的说,涉及于ー种磁控溅射法制备(Iio)高度择优取向的Mnu6Coa96Nia48O4薄膜的方法。背景技术Mn-Co-Ni-O系列材料是ー种具有很高的负电阻温度系数的热敏材料。该类氧化物半导体材料因其性能稳定,工作温度宽的特点而获得了很大的发展,广泛应用于测温、控温、补偿、稳压、遥控、流量、流速测量以及时间延迟设备中[见文献I]。此外,该种材料具有宽广的光谱响应和性能长期稳定等优异特性,在空间技术的低温热...
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