技术编号：3259284
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于信息存储领域，具体涉及一种可用于提高CoPt膜垂直磁性能的CoPt/Ta双层结构材料及其制备方法。背景技术在计算机的外部存储器中，磁存储技术发展迅速，并形成了巨大的产业。近年来磁存储介质的存储密度以每5年增加10倍的速度迅速发展。随着磁记录密度的进一步提高，记录单元的尺寸减小，从而单位记录单元内的磁性晶粒尺寸迅速减小，水平磁记录(磁化方向与记录介质的运行方向平行)遇到超顺磁效应的限制。超顺磁效应会导致记录信息在外界热扰动的影响下变得不稳定，甚至丢...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。