技术编号:3259999
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种化学气相沉积(CVD)设备,特别是一种有机金属化学气相沉积(MOCVD)设备。背景技术现阶段化学气相沉积(CVD)设备,如等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备、低压化学气相沉积(LPCVD)设备、金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)设备已经广泛应用于半导体器件制造领域。以下以金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)设备为例对现有技术的化学气相沉积设备进行简单说明。请参阅图1,图1为现有技术一种MOCVD设备的结构示意图。所述MOCVD...
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