技术编号:3260935
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及沉积设备,特别涉及用于气相沉积工艺的反应腔室。背景技术金属有机化学气相沉积(MOCVD)是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种化学气相沉积工艺。它以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长的反应气体,以热分解反应方式在蓝宝石处女地或其他衬底上进行外延沉积工艺,生长各种II1-V族、I1-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的外延材料层。图1为现有技术的MOCVD设备的反应腔室的结构示意图。所述反应腔室包括...
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