技术编号：3261189
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及金属Ga的纯化方法和装置，具体地涉及适合于制造化合物半导体例如GaAs单晶用的高纯度Ga。背景技术 在化合物半导体中，III-V族化合物的单晶特别是GaAs单晶，其电子迁移率约相当于硅等单一元素的5倍，除此之外，其高频特性、磁转换功能、光感受功能和发光功能等也较优，因此被广泛地作为高速IC、光电子集成电路等的电子器件或光学器件的基片使用。GaAs的单晶片可以通过各种工序制造，但是需要通过由Ga-As的熔体生长成为GaAs晶体来制备GaAs锭坯的工...
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