技术编号：3261215
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种Mo薄膜的制备方法，具体来讲是。背景技术太阳能具有清洁、便利、取之不尽等优点，是21世纪最有前景的新能源。以Cudn, Ga) Se2 (CIGS)为光吸收层的太阳能电池具有光电 转换效率高，电池稳定性好，抗辐照能力强，弱光特性好等特点。由于CIGS的光吸收系数极高，微米级的厚度即可吸收99%的太阳光，非常适合制作薄膜太阳能电池。在制备CIGS太阳电池的过程中，获得高质量的背接触层(Back Contact, BC)非常重要。BC层的质量直接...
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