技术编号：3261851
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及组合物，该组合物在制造半导体器件过程中用于产生图案化的或结构 化的SiO2层或产生SiO2线，并且适用于在喷墨操作中应用。本发明还涉及利用这些新的组 合物的生产半导体器件的改进方法。背景技术半导体器件通常具有高度掺杂区域的图案和位于高度掺杂区域之间的低掺杂区 域，所述高度掺杂区域在半导体基材中彼此的位置相距一定距离。通过施加适当的掺杂组 合物，至少施加在高度掺杂区域上，获得掺杂图案。然后，该基材经扩散步骤作用，在该步骤 中掺杂原子从施加的掺杂组合...
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