技术编号：3261970
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，特别涉及一种减少反应腔内杂质颗粒的方法和一种化学气相沉积设备。背景技术化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大部分的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。该工艺一般包含以下过程气体反应物通过对流和扩散到达衬底表面；衬底表面吸附气体分子，并发生反应，生成薄膜和气态副产物；气态副产物解吸并离开衬底表面，通过排气装置离开反应腔。其中金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD )技术作为化合物半导体材料研究和...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。