技术编号:3262015
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体装置的制造方法及衬底处理装置本申请是申请目为2010年9月30日、申请号为201010500176. 5、发明名称为“半导体装置的制造方法及衬底处理装置”的发明专利申请的分案申请。抟术区域本发明涉及包括在衬底上形成薄膜的工序的半导体装置的制造方法及衬底处理>J-U ρ α装直。 背景技术闪存器具备用绝缘膜包围的电子存储空间(浮置栅),其工作原理如下利用存取通过薄的隧道氧化膜的电子,录入信息,同时利用该薄的氧化膜的绝缘性,长时间地保持电子,保持存...
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