技术编号:3262091
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路芯片制造工艺,具体涉及一种MOCVD TiN膜的后退火工艺,以消除TiN膜的应力,降低薄膜电阻。背景技术 在铝金属互联技术中,TiN阻挡层的制备是W通孔和Al膜制备的先决条件。这层TiN层不仅能防止WFb和SIO2等介质层的反应,还增强了钨塞、Al金属膜和介质层的黏附力,其质量的好坏对钨塞及Al膜能否正常填充有直接的影响。目前,TiN阻挡层的制备有如下几种1.PVD Ti/TiN阻挡层淀积技术。这种技术主要包含以下3个步骤1)除气(deg...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。