技术编号:3262092
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路,是一种用于浅沟槽隔离技术(Shallow TrenchIsolation,STI)的新的化学机械抛光工艺(chemical mechanicalpolishing/planarization,CMP),用以改善STI的平坦化,减少缺陷,提高工艺稳定性。背景技术对深亚微米超大规模集成电路技术,STI是不可或缺的横向隔离方式。CMP是实现STI必不可少的工艺手段。在STI工艺中,为提高填孔性能,一般都应用高密度等离子体淀积(High Den...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。