技术编号:3262093
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明与InN-GaN基蓝光半导体外延生长有关,特别是一种射频磁控溅射法制备γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的方法。背景技术 以GaN为代表的宽带隙III-V族化合物半导体材料正在受到越来越多的关注,它们具有优异的特性,如稳定的物理和化学性质、高热导和高电子饱和速度、直接带隙材料的光跃迁几率比间接带隙的高一个数量级,因此宽带隙InN-GaN基半导体在蓝、绿光发光二极管(LEDs)和激光二极管(LDs)、高密度信息读写、水下通信、深水探测、激光打印、生物及...
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