技术编号:3262151
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于采用热蒸发制备大面积固体薄膜及半导体薄膜时所用源的设计。背景技术真空热蒸发镀膜在陶瓷薄膜、半导体薄膜、以及相应薄膜器件的产业化中应用非常广泛,其基本原理是利用加热的手段使源受热蒸发,由固相/液相变成气相,然后气体分子或原子在蒸发源与基板(衬底)之间输运,最后蒸发的分子或原子在基板(衬底)上沉积。目前采用真空热蒸发可以制备单组份或多组份的薄膜,对于多组份薄膜制备,为避免组份中各元素饱和蒸汽压不同,造成分解和分馏,引起成份的偏离,实验室常采用共蒸发的...
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