技术编号:3262543
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及透明导电氧化物膜层,特别涉及一种双元素掺杂ZnO膜层的制备方法。背景技术透明导电氧化物(TCO)材料具有较高的载流子浓度和光学禁带宽度,因此表现出低的电阻率和高的可见光透过率,被广泛应用于薄膜晶体管显示器(TFT)、液晶显示器(LCD)、发光二极管(LED)及太阳能电池等各种光电器件中。在TCO材料中,ZnO膜层是最有可能取代In2O3 = Sn(ITO),SnO2F (FTO)的透明导电材料之一。ZnO具有与ITO相媲美的光电性能,同时它制造成...
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