技术编号:3262777
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及薄膜太阳电池,特别是一种空穴型氮铟镓P-InxGahN薄膜及其制备。背景技术III族氮化物BN、AIN、GaN, InN(III-N)等及其多元合金化合物是性能优越的新型半导体材料(直接带隙半导体材料),在太阳电池、声表面波器件、光电子器件、光电集成、高速和高频电子器件等方面得到重要应用,有着十分广阔的应用前景。随着近年来对InN的研究发展,尤其是InN的禁带宽度研究,为设计、制备新型高效太阳电池奠定了理论和实验基础2002年以前,InN的禁带宽...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。