技术编号:3262874
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于材料制备方法,具体涉及。背景技术碳化铪熔点高达3887 °C,其晶须也因其高的强度常被用作增强体材料,以提高复合材料和涂层的性能。但这对晶须结构的均一性有很高的要求。而且如果直接将纯的晶须添加到复合材料中去,易形成较强的界面结合,反而会使材料的脆性增加,给增强效果带来不利的影响。因此,许多研究者采用制备晶须表面涂层,以改善界面结合,提高增强效果。文献I “B. B. Nayak, et al. SiC/C nanocable structure ...
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