技术编号:3263480
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术自旋阀磁阻元件具有弱磁场测量磁场较小,灵敏度较高,较高的频率响应特性,且尺寸小,质量轻,在军事、工业、民用等领域有广泛的应用空间。在自旋阀磁阻元件的制备过程中,通过在晶元上进行磁控溅射制备屏蔽材料层,所述屏蔽材料层为软磁材料,厚度为十几个纳米。由于在磁控溅射过程中,产生的屏蔽材料层具有厚度不均匀、微凸、微凹等各种缺陷,以及多层膜间存在的电磁应力作用,产生了较大的磁滞区域。尤其在低频磁场下时,输出电压零位随机漂移和微分磁导率的离散性较大,...
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