技术编号：3263484
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及单晶硅片表面加工工艺，特别涉及。背景技术单晶硅片的表面加工流程主要包括单晶生长一滚磨一切片一倒角一研磨一腐蚀—背损伤一背封一去边一抛光一清洗一包装等。近年来，随着半导体行业的高速发展和激烈的市场竞争，为了降低半导体原材料成本，越来越多的半导体器件厂商采用经过腐蚀加工后的腐蚀片替代抛光后的晶圆片，从而省去了对加工设备环境、清洗方式、化学辅料纯度等要求较高的抛光过程等。其中，有些客户需求对硅片表面光泽度要求较低的产品，主要应用硅片表面的低光泽度效果，...
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