技术编号:3263689
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及材料领域,尤其涉及一种单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置。背景技术石英安瓿广泛应用于半导体单晶材料的生长工艺,有些原材料会与石英发生化学反应产生粘连,从而影响晶体生长,另一方面石英中的杂质也会向材料中扩散,影响材料性能。因此一般在石英安瓿内壁制备一层碳膜来避免类似情况的发生。碳膜的质量直接影响到晶体生长时熔体寄生形核的几率,从而影响晶体生长成品率。工艺中一般使用无水乙醇裂解或甲烷裂解的方法来进行碳膜制备,反应时使用高 纯氮气作为载气将无水乙醇蒸汽...
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