技术编号：3263732
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及AlN薄膜，特指。背景技术氮化铝(AlN)材料具有电子漂移饱和速率高、热导率高、介质击穿强度高等优异特性，使其在高频、高温、高压电子器件领域有着巨大的应用潜力，可用于制备高频表面波器件，特别适合于制作声波传感器、G赫兹频 带SAW器件和BAW器件。近几年，高取向度AlN薄膜生长技术的研究受到了人们的高度重视，并且已经取得了较满意的成果，但是这些方法绝大多数都是在高温下进行的，目前亟待解决的难题是如何在较低的衬底温度下制备高取向度薄膜。与一般的Al...
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