技术编号：3264442
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子，特别涉及一种用于MOCVD反应室的电磁加热装置。背景技术目前，利用金属有机化学气相淀积MOCVD技术淀积半导体薄膜，是微电子和光电子领域以及半导体集成电路领域的一种不可或缺的技术。反应室是MOCVD设备的核心部分，晶片的温度均匀分布是反应室设计的基本要求之一。MOCVD反应室加热方式主要有感应加热和电阻加热，与电阻加热方式相比，感应加热具有加热速度快、不需要整体加热和无沾污等优点，一直为人们所青睐。但传统用的感应加热式MOCVD反应室中，...
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