技术编号:3264482
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种通过将彼此会发生反应的至少两种反应气体交替向基板供给,使两反应气体的反应生成物在基板上成膜的。背景技术在集成电路(IC)的制造工艺中具有利用氧化硅填埋例如沟槽、导通孔、线.空间.图案中的空间等凹部的工序。例如利用例如化学气相沉积(CVD)法在沟槽内进行氧化硅的成膜时,由于反应气体(前体(日文>力一寸))在扩散至沟槽的底部之前在气相中发生反应、或吸附于沟槽侧面,因此,具有在沟槽的开口附近的膜厚较厚(形成所谓的外伸(日文才一〃'一 7、&g...
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