技术编号：3265991
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于以强氧化剂和强还原剂为源生成氧化膜的外延设备。以强氧化剂和强还原剂化合生成的化合物具有高熔点，高强度，高绝缘和可具有良好的透明性的优点，在工业中，尤其是在机械、化工、电子工业中得到日益广泛的应用。近来它的生长方法已扩展到薄膜处延技术方面来，如在硅上生长AL2O3(三氧化二铝)然后再外延长Si(硅)甚至进行多层异质外延形成半导体膜-绝缘膜-半导体膜-绝缘膜-硅衬底多层异质结构材料。但目前外延设备较为落后，反应室内密封性能差，造成外延膜形成大量微...
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