技术编号：3266020
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体晶片加工工艺，特别涉及一种可以改善晶片几何参数的研磨方法。本方法适用于所有半导体材料和所有薄片材料的研磨。背景技术 集成电路使用的半导体晶片，都是由半导体晶锭切割加工制成。在用内圆切割机或线切割机将半导体晶锭切割成切割晶片时，因切割条件的变化，切割片在厚度和平整度都存在偏差。如果切割条件不合适，还会造成较深的损伤层。因此需要用研磨来消除厚度和平整度的偏差，并降低损伤层厚度。传统的研磨方法如图1所示，晶片1放在位于下盘3上的游星片2的片孔内，...
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