技术编号:3266034
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,更具体地,涉及一种MIM型电容器的制造方法。背景技术 动态随机存取存储器(DRAM)的存储单元包括选择晶体管和电容器,并且随着精细加工技术的进步,存储单元小型化,电容器的电荷累积量的减少已经成为问题。为了解决此问题,已经进行了很多研究,通过生产固体电容器,增加电极表面积,将电容器结构从金属绝缘体硅(MIS)结构转变为金属绝缘体金属(MIM)结构。具体地,利用钌(Ru)膜作为其电极的MIM型电容器引起了人们的广泛关注,作为大规模生产的技术,因...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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