技术编号:3267661
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及镀膜技术,特别涉及真空镀膜技术。背景技术在真空中制备膜层,包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜,包括物理沉积镀膜、化学沉积镀膜和蒸发镀膜等类型。目前的真空镀膜装置包含一个真空进片腔体、一个前真空传输腔体、一个真空工艺腔体组(真空工艺腔体组中包含一个或多个串联的真空工艺腔体)、一个后真空传输腔体和一个真空出片腔体。需要进行镀膜的基片从真空进片腔体的入口端进入,当基片进入到真空进片腔体后,关闭真空进片腔体上的真空阀门,并将真空进片腔...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。