技术编号：3276165
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种用于生长金刚石厚膜的装置，适用于直流辉光等离子体沉积法制备金刚石膜工艺。背景技术直流辉光等离子体法制备金刚石膜的原理是利用气体辉光放电，使含碳的甲烷、乙炔、乙醇等气体或液体分子电离产生含碳基团，使氢气电离产生活性氢原子。在低气压条件下，在基底温度900度-1000度之间，在基底表面生成金刚石膜。在采用直流辉光等离子体技术生长金刚石厚膜的过程中，由于电场分布不均，导致金刚石膜边缘生长速率大于中间生长速率，其结果是生长的金刚石厚膜，边缘厚且在...
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