技术编号：3277382
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。用于CMP后清洗的配方和方法相关专利申请的交叉引用本专利申请要求于2009年7月7日提交的美国临时专利申请序号61/223，526的 优先权。背景技术在涉及制备半导体装置的步骤中，在多个步骤中需要清洗以去除有机/无机残 渣。半导体制造工艺中所需的提高残渣去除的清洗包括CMP(化学机械抛光)后清洗、光 致抗蚀剂灰分残渣去除、光致抗蚀剂去除、后段封装(例如探测前(pre-probe)晶片清洗、 切割、研磨等)中的多种应用。用于改善清洗的特别需要存在于铜互联的C...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。