技术编号:3277441
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种晶片表面的抛光方法,特别涉及一种超大规模集成电路铜布线表 面低压化学机械抛光方法。背景技术金属铜具有低的电阻率、优越的抗电迁移特性和低的热敏感性,产生较小的RC延 迟并能提高电路的可靠性,铜线取代传统的铝线成为互连线的理想材料。随器件几何尺寸的缩小,金属层数和硅衬底直径的增加,每一层的平坦化程度成 为影响集成电路刻蚀线宽的重要因素之一,已成为微电子进一步发展的瓶颈。化学机械抛 光是迄今对多层铜布线、介质及其阻挡层提供全局平整化的最好技术。传统...
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