技术编号:3279256
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于太阳能电池,特别涉及一种基于LSP效应陷光增效新型減反射结构的制备方法。背景技术硅是地売上最丰富的半导体元素,冶炼提纯技木工艺比较成熟,因此成为固态电子器件的主要原料。目前,硅材料应用在光伏领域的增长率已高于它在集成电路领域的增长率。由于硅材料来源广泛,成本较低,在太阳能电池市场占据主导地位。随着太阳能电池技术的不断发展和进步,提高太阳能电池的转换效率和降低成本是太阳电池领域的研究重点。其中,减少电池表面对入射光的反射和提高入射光的吸收是提高太阳...
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