技术编号:3279357
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及硅烷聚合物、其制造方法及硅膜的形成方法。更详细地说,涉及应用于集成电路、薄膜晶体管、光电转化装置和感光体等用途的硅烷聚合物、其制造方法及由该硅烷聚合物容易地形成优质的硅膜的方法。背景技术 形成用于集成电路和薄膜晶体管等的硅薄膜(非晶硅膜和多晶硅膜等)的图案,一般是利用下述工艺进行,即,通过CVD(化学气相沉积,Chemical Vapor Deposition)法等真空加工,在整个面上形成硅膜后,采用光刻法,除去不需要部分。但是,该方法存在下述问...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。