技术编号:3279472
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种真空成膜装置,其向配置在真空室内作为成膜对象的基板交替提供两种以上的原料气体,并通过化学反应形成规定的薄膜。背景技术在半导体器件的制造工序中,有成膜工序,其在晶片等作为成膜对象的基板上形成规定的薄膜,对该成膜工序,随着近年半导体器件的小型化,需要以低温来进行成膜。由此,具有可减低热过程及良好的阶梯被覆性等特征的ALD成膜方法受到关注。例如可通过专利文献I 了解实施上述成膜方法的真空成膜装置。该装置具有真空室,所述真空室带有加热内部的加热器。在...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。