技术编号：3279538
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，属于光电材料。技术背景ZnS是一种性能优越的I1-VI的直接带隙发光材料，有立方、六方两种晶相，其禁带宽度分别为3. 72 eV (立方相结构)和3. 77 eV (六方相结构)，由于能带特性，ZnS薄膜在平板显示，薄膜电光器件，红外线窗口，光电探测器，传感器，激光器等方面有着非常广泛的应用。而ZnS薄膜的晶相结构对于上述器件的物理性能起着至关重要的作用。例如相对于立方相，六方相的ZnS薄膜更适合替代CdS薄膜作为CdTe薄膜太阳电池的缓冲层或...
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