技术编号:3279645
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于制造新型电力电子器件、半导体功率器件所用硅片的制造工艺, 尤其涉及一种超高电阻率硅抛光片的抛光工艺。背景技术CMP (机械_化学抛光)是目前能提供超大规模集成电路制造过程中全面平坦化的 一种新技术,该技术是在含有胶状硅悬浮颗粒的碱性溶液的帮助下完成抛光,是一个机械 作用和化学作用相平衡的过程。其化学作用为Si + H2O + 20H" ^ SiO32"+ 2H2。用这种方法可以真正使晶片表面平坦化。化学反应中,表层的硅原子与抛光液中水分子及O...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。