技术编号：3279735
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用在等离子体处理机内的沉积用挡板(deposition baffle)，并且特别地，本发明涉及在生产半导体装置和集成电路中应用高密度等离子体、例如电感耦合等离子体(ICP)来处理并制备涂层、尤其是导电涂层的机器。该沉积用挡板保护真空处理室的介电壁和窗不被沉积材料所涂覆，RF能量经该介电壁和窗耦合到高密度等离子体中。背景技术 电感耦合等离子体(ICP)源广泛地使用在半导体生产工业中，用于处理的目的。常见的ICP源包括天线，其提供RF能量并将该RF...
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