技术编号:3279778
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种按顺序供给相互反应的处理气体而在基板的表面上层叠反应生成物并且对基板进行等离子体处理的。背景技术作为对半导体晶圆等基板(以下称为“晶圆”)进行例如氮化硅膜(S1- N)等薄膜的成膜的方法之一,公知有按顺序将相互反应的多种处理气体(反应气体)供给到晶圆表面而层叠反应生成物的ALD (Atomic Layer Deposition,原子层沉积)法。作为利用该ALD法进行成膜处理的成膜装置,例如,如专利文献I所记载的那样,可列举出如下的结构在真空容...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。