技术编号:3280024
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种CuInS2纳米棒的制备方法,具体涉及一种利用脉冲激光沉积(PLD)法制备CuInS2纳米棒的方法。背景技术CuInS2是1-1I1-VI2族化合物半导体材料,具有各种良好的光学和电学性质,例如高吸收系数、与太阳光谱较匹配的禁带宽度1.5eV、无有毒元素、易得到P和η掺杂、为直接带隙半导体。目前CuInS2主要被应用于半导体薄膜太阳能电池的吸收层。对于半导体材料,材料的形状或者尺寸会影响其光电特性以及器件的性能,达到纳米尺寸时有可能出现与块材...
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