技术编号：3280128
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于太阳能电池纳米结构，特别涉及。背景技术硅太阳能电池由于原料来源广泛、工艺成熟、光电转换效率较高、光电性能稳定性和可靠性好等优点，占据太阳能电池市场的主导地位。目前，硅太阳能电池研究的重点方向是降低成本和提高转换效率，而减少光伏器件表面上入射阳光的能量损失是提高光电转换效率的手段之一，因此在硅衬底上制备高效广谱的陷光结构一直是科研人员所重视和不断研究的课题。目前常用的减反射措施有两种一是采用沉积法在硅表面制备减反射膜，二是采用传统刻蚀法在硅表面制备...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。