技术编号:3281192
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,特别涉及利大气压等离子放电处理、在基板上形成薄膜的。背景技术 现在,在LS1、半导体、显示器、磁记录装置、光电变换器、太阳能电池、约瑟夫森器件、光热变换器等各种制品中,使在基板上设置高性能的薄膜的材料。在在基板上形成薄膜的方法中,例如,有以涂敷为代表的湿式制膜法和以溅射法、真空蒸镀法、离子镀法等为代表的干式制膜法,或者,利大气压等离子放电处理的大气压等离子制膜方法等。然而,近年来,特别希望使能够保持高生产率又能够形成高质量薄膜的大气压等离子制膜...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。