技术编号:3281278
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及石墨烯的制备工艺,特别是。背景技术石墨烯具有极高的载流子迁移率、高透光性的物理性质,可以作为导电透明电极,在平板显示触控、太阳能电池领域有着重要的应用前景。目前制备高质量石墨烯的方法主要有胶带剥离法、碳化硅或金属表面外延生长法和化学气相沉积法(CVD),前两种方法效率低,不适于大量制备;而CVD法制备的单层石墨烯则可以做到任意尺寸(由衬底材料决定)。但是,单层石墨烯为零带隙半导体,受限于其低载流子浓度,本征石墨烯并没有体现很好的导电性能。能否有效...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。