技术编号:3281410
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,尤其涉及化学机械研磨设备。背景技术随着半导体器件的特征尺寸不断缩小,要求半导体器件之间连线的连线电阻也不断减小,传统的铝布线已经不能满足性能要求。目前在先进工艺制程中后段金属工艺布线材料已经从原来的铝改为铜。由于铜本身的特性不适合用干法刻蚀的方法形成布线层,因此只能采用所谓的“双大马士革”工艺实现金属布线,即先在介质层中刻蚀出下层金属接触孔和布线槽,然后用电镀的方法在接触孔和布线槽中电镀上金属铜,最后使用化学机械研磨(CMP)把电镀在介质...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。