技术编号：3281536

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本发明涉及由含有具有方铁锰矿结构的氧化铟与以组成式In2Ga2ZnO7表示的Yb2Fe3O7结构化合物的氧化物烧结体而成的适合形成氧化物薄膜的溅射靶及其制造方法。另外，本发明还涉及由含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物、且含有具有方铁锰矿结构的氧化铟与同系结构化合物InGaO3(ZnO)niGii为I 4的自然数)的氧化物烧结体构成的适合形成氧化物半导体膜的溅射靶及其制造方法。另外，本发明涉及具有稀土氧化物C型的结晶结构的烧结体。另外，本发明涉及...
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