技术编号:3281579
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体薄膜及其制备领域,特别是涉及一种改变Cu3N薄膜择优取向的方法。背景技术具有反ReO3结构、低分解温度的氮化亚铜(Cu3N)半导体材料,在光信息存储和大规模集成电路方面具有非常光明的应用前景。最近,该材料被报道亦可用于自旋电子器件、 太阳能电池、燃料电池、磁隧道结等领域,因而该体系在国际上广受关注。—些元素可填充到Cu3N的反ReO3结构中,形成反钙钛矿的结构,这使已报导Cu3N 特性存在很大差异。Cu3N进行掺杂,产生的材料必定会在结构、...
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